據調查顯示，對於沉積速率，国产探花自拍機技術中的磁控濺射鍍膜運用效果很好。

　　有項研究就是對平衡磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜進行各種對比。

　　在這兩者之前，對其成膜的沉積速率的不同作出了實驗研究。

　　在實驗中，通過在平衡磁控濺射的基礎上增加附加的線圈來控製磁場的變化，形成非平衡磁控濺射條件，這種附加線圈可以改變磁場電流，調整在整個靶材表麵所存 在的磁場狀況，從而使其產生的離子密度更高。

　　在研究數據中顯示，當離子密度提高，成膜的沉積速率也相應提高，通過這種調整電流的方式，可以提高磁控濺射鍍膜時的沉積速率。

　　把靶材與基底之間的距離改變，當距離越大，沉積速率就越低，相反就越高，所以要設定好靶材與基底的距離。

　　距離大了，離子隨著磁場所產生的電流沉積到基底上的時間就長了，在此時間內受到国产探花自拍設備中的氣體散射的影響就多了，離子密度相對降低，距離短就受影響少，離子密度就高，但不是越短越好的，太短距離就相對減少成膜的麵積，所以這個距離需要拿捏好，可以提高磁控濺射鍍膜時的沉積速率。

　　通過以上分析，磁控濺射鍍膜機的技術還是十分有效的。

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