直流濺射(DC Magnetron Sputtering)、射頻濺射(RF Magnetron Sputtering)、脈衝濺射(PulsedMagnetro n Sp uttering)和中頻濺射(Medium Fre2quency Magnetro n Sp uttering)

　　反應濺射是在濺射係統裏的惰性氣體氣氛中，通入一定比例的反應氣體，通常用作反應氣體的主要是氧氣和氮氣。

　　直流濺射方法用於被濺射材料為導電材料的濺射和反應濺射鍍膜中，其工藝設備簡單，有較高的濺射速率。

　　中頻交流磁控濺射在單個陰極靶係統中，與脈衝磁控濺射有同樣的釋放電荷、防止打弧作用。中頻交流濺射技術還應用於孿生靶(Twin2Mag)濺射係統中，中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個輸出端，分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上，因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓，一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。

　　孿生靶濺射技術大大提高磁控濺射運行的穩定性，可避免被毒化的靶麵產生電荷積累，引起靶麵電弧打火以及陽極消失的問題，濺射速率高，為化合物薄膜的工業化大規模生產奠定基礎。

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